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参数资料
| 型号： | OPIA2110ATUE |
| 厂商： | TT Electronics/Optek Technology |
| 文件页数： | 19/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTOCOUPLER SMD ANLG OUT 6-PIN |
| 产品目录绘图： | OPIA605 Circuit |
| 标准包装： | 65 |
| 通道数： | 1 |
| 输入类型： | DC |
| 电压 - 隔离： | 5000Vrms |
| 电流传输比（最小值）： | 40% @ 10mA |
| 电流传输比（最大）： | 400% @ 10mA |
| 输出电压： | 60V |
| 电流 - 输出 / 通道： | 50mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 50mA |
| Vce饱和（最大）： | 300mV |
| 输出类型： | 晶体管 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 4-SMD |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 365-1452 OPIA605ATU |
OPIA500B, OPIA4N35, OPIA4N33
OPIA2110, OPIA2210, OPIA5010, OPIA6010
SMD and SOP Packages
Quality / Reliability Requirements
Parameter
HTRB D I C(OFF)
HTFB D I C(ON)
MTTF @ 90% confidence
Moisture Sensitivity Level
Lead Solderability
Glass Transition of body
Temperature Humidity-Bias
Temperature Cycle
High Temperature Storage
Autoclave
Failure Criteria
± 10%
0 Fail
± 10%
0 Fail
150,000 Min.
MSL 1
0 Fail
125°C Min.
± 20%
± 20%
± 20%
0 Fail
Conditions
11 samples after 500Hrs
@ VCE = 5.0VDC, Ta = 70°C
50 samples after 96Hrs
@ Max P D , Ta = 25°C
@ 25°C, 25mADC
per JDEC stnd J-STD-020B
per Method 208 of MIL-STD-202.
DSC test method
85°C, 85%RH, 500Hrs, 80% min Iceo
per Method 1010.7 of MIL-STD-883E
85°C, 500Hrs
T A = 121°C, Pressure = 15psi, Humidity
= 100%, Time = 96Hrs
Note: This is to be performed when a change occurs to form, fit or function.
Government and Industry Standard
Compliance Requirements
European Union’s Reduction of Hazardous Substances (RoHS) Directive 2002/95/EC
Label Identification
Carrollton, TX, USA
DESCRIPTION:
Size: 3” (7.4 cm) X 2.2” (5.5 cm)
Lettering shall be black on white background.
Format shall be as:
Notes:
1. The DATE CODE is a 4-digit code for date of manufacture where YY is
the last two digits of the year, and WW is week number of manufacture.
2. The LOT I.D. is the manufacturing location lot identification where Y is
the year of manufacture, NNNN is a sequential lot identifier, and DDD is
the day of the year of manufacture. – or use equivalent label format.
MADE IN TAIWAN
OPTEK P/N __OPIA2110A-TR__
II II III I III II IIII II I I
QTY. ________N/A_________
II II III I III II IIII II I I
DATE CODE _____(YYWW)___
II II III I III II IIII II I I
LOT I.D. ____(Y-NNNNDDD)__
II II III I III II IIII II I I
OPTEK reserves the right to make changes at any time in order to improve design and to supply the best product possible.
OPTEK Technology Inc. — 1645 Wallace Drive, Carrollton, Texas 75006
Phone: (972) 323-2200 or (800) 341-4747 FAX: (972) 323-2396 sensors@optekinc.com www.optekinc.com
Issue A.6 5/10
Page 19 of 23
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 5164711-4 | CONN RCPT 4POS R/A 2.5MM |
| 1-2058703-2 | CONN RCPT&BLADE 4POS W/LATCH SMD |
| FTMH-102-03-L-DV | CONN HEADER 4POS DUAL 1MM SMD |
| OPIA2210ATUE | PHOTOCOUPLER SMD ANLG OUT 6-PIN |
| 1954289-2 | CONN RCPT & BLADE 4POS WHT SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OPIA2110DTUE | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 50mA 5000CRT% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| OPIA2210ATRE | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 50mA 50-600CRT% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| OPIA2210ATUE | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 50mA 50-600CRT% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| OPIA2210DTUE | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 50mA 5000CRT% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| OPIA400ATR | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 50mA 50-600CRT% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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