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参数资料
| 型号： | OPIA4N33ATU |
| 厂商： | TT Electronics/Optek Technology |
| 文件页数： | 6/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTOCOUPLER SMD ANLG OUT 6-PIN |
| 产品目录绘图： | OPIA602 Circuit |
| 标准包装： | 65 |
| 通道数： | 1 |
| 输入类型： | DC |
| 电压 - 隔离： | 5000Vrms |
| 电流传输比（最小值）： | 500% @ 10mA |
| 输出电压： | 30V |
| 电流 - 输出 / 通道： | 150mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 50mA |
| Vce饱和（最大）： | 1V |
| 输出类型： | 有基极的达林顿晶体管 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 4-SMD |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 365-1446 OPIA602ATU |
OPIA500B, OPIA4N35, OPIA4N33
OPIA2110, OPIA2210, OPIA5010, OPIA6010
SMD and SOP Packages
Electrical Characteristics (OPIA6XX Series) - Continued from Previous Page
SYMBOL
PARAMETER
MIN
TYP
MAX
UNITS
TEST CONDITIONS
Output PhotoDarlington—OPIA5010D, OPIA4N332D
Collector dark Current
I CEO
OPIA5010
OPIA4N33
-
-
-
-
1.0
0.1
μA
I F = 0 mA, V CE = 200 V
I F = 0 mA, V CE = 10 V
Collector-emitter Saturation Voltage
V CEO
f C
t r
t f
OPIA5010
OPIA4N33
Cutt-Off frequency
OPIA5010, OPIA4N33
Rise Time
OPIA5010
OPIA4N33
Fall Time
OPIA5010
OPIA4N33
-
-
-
-
-
-
-
-
-
7.0
60
5
50
60
1.5
1.0
-
300
40
250
100
V
K Hz
μs
μs
I F = 20 mA, I C = 5 mA
I F = 8 mA, I C = 2 mA
V CC = 5 V, I C = 2 mA, R L = 100 Ω
V CC = 2 V, I C = 20 mA, R L = 100 Ω
V CC = 10 V, I C = 50 mA, R L = 100 Ω
V CC = 2 V, I C = 20 mA, R L = 100 Ω
V CC = 10 V, I C = 50 mA, R L = 100 Ω
Coupled Characteristics Phototransistor/Photodarlington
Current Transfer Ratio
OPIA4N35
OPIA5010
60
600
-
-
600
9,000
I F = 2 mA, V CE = 5.0 V
I F = 2 mA, V CE = 5.0 V
CTR
C f
OPIA4N33
OPIA2210
OPIA6010
OPIA2110
Floating Capacitance
500
50
60
40
-
4,000
-
-
-
0.6
-
600
600
400
1.0
%
pF
I F = 10 mA, V CE = 10.0 V
I F = 5 mA, V CE = 5.0 V
I F = 1 mA, V CE = 5.0 V
I F = 10 mA, V CE = 5.0 V
V = 0.0 V, f = 1M Hz
10
R ISO
Isolation resistance
5X10
10
11
-
ohm
DC500V
OPTEK reserves the right to make changes at any time in order to improve design and to supply the best product possible.
Issue A.6 5/10
Page 6 of 23
OPTEK Technology Inc. — 1645 Wallace Drive, Carrollton, Texas 75006
Phone: (972) 323-2200 or (800) 341-4747 FAX: (972) 323-2396 sensors@optekinc.com www.optekinc.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 4308R-102-154LF | RES ARRAY 150K OHM 4 RES 8-SIP |
| 2-104503-2 | 23 MTE PIN HSG SR RIB .100CL |
| 2-103688-2 | 23 MTE RCPT HSG SR PLAIN .100 |
| XH2B-6041-A | CONN 60POS HALF-PITCH STRT DIP |
| 2-103653-2 | 23 MTE SHRD PIN HSG SR LATCH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OPIA4N33ATUE | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 150mA 500CRT% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| OPIA4N33DTU | 功能描述:PHOTOCOUPLER DIP ANLG OUT 6-PIN RoHS:是 类别:隔离器 >> 光隔离器 - 晶体管，光电输出 系列:- 标准包装:1,500 系列:NEPOC 通道数:1 输入类型:DC 电压 - 隔离:2500Vrms 电流传输比（最小值）:20% @ 16mA 电流传输比（最大）:- 输出电压:7V 电流 - 输出 / 通道:8mA 电流 - DC 正向(If):25mA Vce饱和（最大）:- 输出类型:有 Vcc 的晶体管 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 包装:带卷 (TR) |
| OPIA4N33DTUE | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 150mA 5000CRT% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| OPIA4N35ATRE | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 5mA 60-600CRT% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| OPIA4N35ATUE | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 5mA 60-600CRT% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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