参数资料
型号: OPIA4N35ATRE
厂商: TT Electronics/Optek Technology
文件页数: 8/23页
文件大小: 0K
描述: ISOLAT 5KVRMS 1CH TRANS OUT 6SMD
产品目录绘图: Photocoupler Circuit
标准包装: 1
通道数: 1
输入类型: DC
电压 - 隔离: 5000Vrms
电流传输比(最小值): 60% @ 2mA
电流传输比(最大): 600% @ 2mA
输出电压: 60V
电流 - 输出 / 通道: 50mA
电流 - DC 正向(If): 50mA
Vce饱和(最大): 300mV
输出类型: 有基极的晶体管
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-SMD,鸥翼型
包装: 标准包装
其它名称: 365-1441-6
OPIA500B, OPIA4N35, OPIA4N33
OPIA2110, OPIA2210, OPIA5010, OPIA6010
SMD and SOP Packages
OPIA4N35
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Issue A.6 5/10
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PDF描述
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参数描述
OPIA4N35ATUE 功能描述:晶体管输出光电耦合器 5mA 60-600CRT% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
OPIA4N35DTUE 功能描述:晶体管输出光电耦合器 5mA 5000CRT% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
OPIA500BTR 功能描述:高速光耦合器 8mA 20CRT% RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube
OPIA500BTRE 功能描述:高速光耦合器 8mA 20CRT% RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube
OPIA500BTU 功能描述:高速光耦合器 8mA 20CRT% RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube