PDTA114YS,126

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型号
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厂商
封装
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价格
说明
操作

PDTA114YS,126
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
TO-92-3
18+
-
Pre-Biased Bipolar T...

PDTA114YS,126
深圳市华诺星科技有限公司
深圳市华诺星科技有限公司
联系人：胡泽君
电话：18998911795
地址：深圳市福田区振兴西路上步工业区405栋601-602
资质：营业执照
1000
NXP USA Inc.
原厂封装
20+
-

PDTA114YS,126
深圳市华诺星科技有限公司
深圳市华诺星科技有限公司
联系人：廖小姐
电话：18998919871
地址：深圳市福田区振兴路上步工业区405栋6楼601-602
1000
NXP USA Inc.
带卷（TR）
20+
-
原装正品，专注原装正品十五年

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1

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功能描述
开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS BISS AMMO LARGE
RoHS
否
制造商
ON Semiconductor
配置
晶体管极性
NPN/PNP
典型输入电阻器
典型电阻器比率
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
直流集电极/Base Gain hfe Min
200 mA
最大工作频率
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
150 mA
峰值直流集电极电流
功率耗散
200 mW
最大工作温度
封装
Reel

PDTA114YS,126 技术参数

PDTA114YM,315 功能描述:TRANS PNP W/RES 50V SOT-883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（R2）:47 kOhms 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250μA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:DFN1006-3 基本零件编号:PDTA114 标准包装:1 PDTA114YE,115 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250μA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SC-75 标准包装:1 PDTA114TU,115 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:10 kOhms 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323-3 标准包装:1 PDTA114TT,215 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:10 kOhms 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）标准包装:1 PDTA114TM,315 功能描述:TRANS PNP W/RES 50V SOT-883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:10 kOhms 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:DFN1006-3 基本零件编号:PDTA114 标准包装:1 PDTA115EU,115 PDTA115TE,115 PDTA115TK,115 PDTA115TM,315 PDTA115TMB,315 PDTA115TS,126 PDTA115TT,215 PDTA115TU,115 PDTA123EE,115 PDTA123EK,115 PDTA123EM,315 PDTA123EMB,315 PDTA123ES,126 PDTA123ET,215 PDTA123ETVL PDTA123EU,115 PDTA123JE,115 PDTA123JK,115