PH6625E

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说明
操作

PH6625E
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
SofTec Microsystems SRL
标准封装
16+
-
百分百原装假一罚十

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1

您是不是要找： PH6664G PH7030AL,115 PH7030ALS,115 PH7030L,115 PH7-261 PH7261G PH7264H PH7323H PH7323L

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功能描述
PROG HEAD FOR MP8011A 20-SSOP
RoHS
否
类别
编程器，开发系统 >> 过时/停产零件编号
系列
-
标准包装
1
系列
-
类型
MCU
适用于相关产品
Freescale MC68HC908LJ/LK（80-QFP ZIF 插口）
所含物品
面板、缆线、软件、数据表和用户手册
其它名称
520-1035

PH6625E 技术参数

PH6530AL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供应商器件封装:LFPAK，电源-SO8 标准包装:1 PH6325L,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 78.7A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:78.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:13.3nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1871pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.3 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PH5330E,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.7 毫欧 @ 15A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:21nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2010pF @ 10V 功率 - 最大值:62.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供应商器件封装:LFPAK，电源-SO8 标准包装:1 PH50S280-15 功能描述:Isolated Module DC DC Converter 1 Output 15V 3.4A 200V - 400V Input 制造商:tdk-lambda americas inc. 系列:PH-S 包装:- 零件状态:在售类型:隔离模块输出数:1 电压 - 输入（最小值）:200V 电压 - 输入（最大值）:400V 电压 - 输出 1:15V 电压 - 输出 2:- 电压 - 输出 3:- 电流 - 输出（最大值）:3.4A 功率（W） - 制造系列:50W 电压 - 隔离:3kV（3000V）应用:ITE（商业）特性:远程开/关，OCP，OTP，OVP 安装类型:通孔封装/外壳:模块大小/尺寸:3.85" 长 x 2.83" 宽 x 0.50" 高（86.0mm x 72.0mm x 12.7mm）工作温度:-20°C ~ 85°C 效率:- 功率（W） - 最大值:50W 标准包装:1 PH4840S,115 功能描述:MOSFET N-CH 40V 94.5A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:最後搶購 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:94.5A（Tc）不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:67nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3660pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.1 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PH7324H PH7324K PH7513P PH7523P PH7523R PH75A28012 PH75A28015 PH75A28024 PH75A28028 PH75A2803.3 PH75A28048 PH75A2805 PH75F110-12 PH75F110-15 PH75F110-2 PH75F110-24 PH75F110-28 PH75F110-3