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PH75F11024

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  • 制造商
  • TDK-Lambda Corporation
  • 功能描述
  • Module DC-DC 1-OUT 24V 3.2A 75W 12-Pin
  • 制造商
  • TDK-Lambda Corporation
  • 功能描述
  • DC/DC PS SGL-OUT 24V 3.2A 75W - Bulk
PH75F11024 技术参数
  • PH75A28028 功能描述:DC/DC CONVERTER 28V 2.7A PCB 制造商:tdk-lambda americas inc. 系列:PH-A280 包装:散装 零件状态:有效 类型:隔离模块 输出数:1 电压 - 输入(最小值):200V 电压 - 输入(最大值):425V 电压 - 输出 1:28V 电压 - 输出 2:- 电压 - 输出 3:- 电流 - 输出(最大值):2.7A 功率(W) - 制造系列:75W 电压 - 隔离:3kV(3000V) 应用:ITE(商业) 特性:远程开/关,OCP,OVP 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP 模块,1/4 砖 大小/尺寸:2.30" 长 x 1.46" 宽 x 0.50" 高(58.3mm x 37.2mm x 12.7mm) 工作温度:-40°C ~ 85°C 效率:90% 功率(W) - 最大值:75W 标准包装:1 PH75A28015 功能描述:DC/DC CONVERTER 15V 5A PCB 制造商:tdk-lambda americas inc. 系列:PH-A280 包装:散装 零件状态:有效 类型:隔离模块 输出数:1 电压 - 输入(最小值):200V 电压 - 输入(最大值):425V 电压 - 输出 1:15V 电压 - 输出 2:- 电压 - 输出 3:- 电流 - 输出(最大值):5A 功率(W) - 制造系列:75W 电压 - 隔离:3kV(3000V) 应用:ITE(商业) 特性:远程开/关,OCP,OVP 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP 模块,1/4 砖 大小/尺寸:2.30" 长 x 1.46" 宽 x 0.50" 高(58.3mm x 37.2mm x 12.7mm) 工作温度:-40°C ~ 85°C 效率:90% 功率(W) - 最大值:75W 标准包装:1 PH7030L,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 68A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):68A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.9 毫欧 @ 10A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):12nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1362pF @ 10V 功率 - 最大值:62.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-100,SOT-669,4-LFPAK 供应商器件封装:LFPAK, 电源-SO8 标准包装:1 PH6530AL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):- 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-100,SOT-669,4-LFPAK 供应商器件封装:LFPAK, 电源-SO8 标准包装:1 PH6325L,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 78.7A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):25V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):78.7A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):13.3nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1871pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散(最大值):62.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.3 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SC-100,SOT-669 标准包装:1 PH75F280-3 PH75F280-5 PH75F48-12 PH75F48-15 PH75F48-2 PH75F48-24 PH75F48-28 PH75F48-3 PH75F48-5 PH75S110-12 PH75S110-15 PH75S110-24 PH75S110-28 PH75S110-5 PH75S280-12 PH75S280-15 PH75S28024 PH75S280-24
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