您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > P字母型号搜索 >

PM-NW01

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
PM-NW01 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 制造商
  • PMI
  • 制造商全称
  • PMI
  • 功能描述
  • GENERAL PURPOSE COUPLING TRANSFORMERS
PM-NW01 技术参数
  • PMN80XP,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A SC-74 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.5A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):7.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):550pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):385mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):102 毫欧 @ 2.5A,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:6-TSOP 封装/外壳:SC-74,SOT-457 标准包装:1 PMN70XPX 功能描述:MOSFET P-CH 20V SC-74 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.1A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):7.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):550pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):530mW(Ta), 4.46W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):88 毫欧 @ 3.1A,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:6-TSOP 封装/外壳:SC-74,SOT-457 标准包装:1 PMN70XPE,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.2A(Ta) 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):7.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):602pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):500mW(Ta),6.25W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):85 毫欧 @ 2A,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:6-TSOP 封装/外壳:SC-74,SOT-457 标准包装:1 PMN55LN,135 功能描述:MOSFET N-CH 20V 4.1A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.1A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):65 毫欧 @ 2.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):13.1nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):500pF @ 20V 功率 - 最大值:1.75W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-74,SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 PMN52XPX 功能描述:MOSFET P-CH 20V SC-74 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.7A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):12nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):763pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):530mW(Ta), 4.46W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):62 毫欧 @ 3.7A,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:6-TSOP 封装/外壳:SC-74,SOT-457 标准包装:1 PMOF-6050P-36UQ PMOF-6050S-44UQ PMOF-9745P-39UQ PMOF-9745S-42UQ PMOF-9745W-42UQ PMOF-9767NP-46DQ PMOF-9767NS-40DQ PMP12RI PMP2425W PMP2425WH PMP2425WP PMP2425WPH PMP2450W PMP2450WH PMP2450WP PMP2450WPH PMP2490W PMP2490WH
配单专家

在采购PM-NW01进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买PM-NW01产品风险,建议您在购买PM-NW01相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的PM-NW01信息由会员自行提供,PM-NW01内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号