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PMBF4393(6G)

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    PMBF4393(6G)

    PMBF4393(6G)

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    联系人:赖先生

    电话:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号

    资质:营业执照

  • 19875

  • PHILIPS

  • SOT23

  • 2024+

  • -
  • 顶级代理原装现货假一赔十

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PMBF4393(6G) 技术参数
  • PMBF4392,215 功能描述:JFET N-CH 40V 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):40V 漏源极电压(Vdss):40V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):25mA @ 20V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):2V @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):14pF @ 20V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 功率 - 最大值:250mW 标准包装:1 PMBF4391,215 功能描述:JFET N-CH 40V 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):40V 漏源极电压(Vdss):40V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):50mA @ 20V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):4V @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):14pF @ 20V 电阻 - RDS(开):30 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 功率 - 最大值:250mW 标准包装:1 PMBF170,215 功能描述:MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):300mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):40pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):830mW(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 欧姆 @ 500mA,10V 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 标准包装:1 PMBD914,235 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 215MA SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):215mA(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:1.5pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 工作温度 - 结:150°C(最大) 基本零件编号:PMBD914 标准包装:1 PMBD914,215 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 215MA SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):215mA(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:1.5pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 工作温度 - 结:150°C(最大) 基本零件编号:PMBD914 标准包装:1 PMBFJ176,215 PMBFJ177,215 PMBFJ308,215 PMBFJ309,215 PMBFJ310,215 PMBFJ620,115 PMBS3904,215 PMBS3904,235 PMBS3906,215 PMBS3906,235 PMBT2222,215 PMBT2222,235 PMBT2222A,215 PMBT2222A,235 PMBT2222AYSX PMBT2369,215 PMBT2369,235 PMBT2907,215
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