PMN2-6F-3K

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PMN2-6F-3K
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：史仙雁
电话：19129911934（手机优先微信同号）0755-82813018
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
1900
Panduit
ROHS
1322+
-
全新原装正品欢迎来电0755-8286...

PMN2-6F-3K
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
3620
Panduit
ROHS
201305+
-
原装正品，现货库存。400-800-03...

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1

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功能描述
端子 Metric Fork Terminal nylon insulated, 1
RoHS
否
制造商
AVX
产品
Junction Box - Wire to Wire
系列
9826
线规
26-18
接线柱/接头大小
绝缘
颜色
Red
型式
Female
触点电镀
Tin over Nickel
触点材料
Beryllium Copper, Phosphor Bronze
端接类型
Crimp

PMN2-6F-3K 技术参数

PMN25UN,115 功能描述:MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:27 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:470pF @ 10V 功率 - 最大值:530mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 PMN25EN,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6.2A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6.2A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:23 毫欧 @ 6.2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:492pF @ 15V 功率 - 最大值:540mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 PMN23UN,135 功能描述:MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6.3A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:28 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:740pF @ 10V 功率 - 最大值:1.75W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 PMN22XN,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5.7A SC-74 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.7A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:27 毫欧 @ 5.7A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:585pF @ 15V 功率 - 最大值:545mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 PMN20EN,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6.7A（Tj）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:20 毫欧 @ 6.7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:18.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:630pF @ 15V 功率 - 最大值:545mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 PMN30XPX PMN34LN,135 PMN34UN,135 PMN34UP,115 PMN35EN,115 PMN35EN,125 PMN38EN,135 PMN38EN,165 PMN40ENEX PMN40LN,135 PMN40UPE,115 PMN40UPEAX PMN42XPE,115 PMN42XPEAH PMN42XPEAX PMN45EN,135 PMN45EN,165 PMN48XP,115