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PMN230ENEAX

配单专家企业名单
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  • PMN230ENEAX
    PMN230ENEAX

    PMN230ENEAX

  • 深圳市华创欧科技有限公司
    深圳市华创欧科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:2394575513590206539

    地址:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室

  • 33000

  • Nexperia/安世

  • TSOP-6

  • 2022+

  • -
  • 原装正品,公司现货库存假一罚十,电话:0...

  • PMN230ENEAX
    PMN230ENEAX

    PMN230ENEAX

  • 深圳市创芯弘科技有限公司
    深圳市创芯弘科技有限公司

    联系人:(2014年前十佳IC供应商)

    电话:13410000176

    地址:深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......

    资质:营业执照

  • 369800

  • Nexperia(安世)

  • SOT457

  • 刚到货

  • -
  • 代理可含税开票

  • PMN230ENEAX
    PMN230ENEAX

    PMN230ENEAX

  • 深圳市杰世特电子有限公司
    深圳市杰世特电子有限公司

    联系人:林S

    电话:18927460633

    地址:深圳市福田区振华路118号华丽大厦2栋2单元535

  • 0

  • 2225+

  • 17900

  • SC70-5

  • -
  • 进口原装现货 支持实单价优

  • PMN230ENEAX
    PMN230ENEAX

    PMN230ENEAX

  • 深圳市科宏特电子有限公司
    深圳市科宏特电子有限公司

    联系人:李瑞兵

    电话:18897698645

    地址:深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • Nexperia

  • 22+

  • -
  • 原装正品

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PMN230ENEAX 技术参数
  • PMN22XN,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5.7A SC-74 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.7A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):27 毫欧 @ 5.7A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):585pF @ 15V 功率 - 最大值:545mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-74,SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 PMN20EN,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6.7A(Tj) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):20 毫欧 @ 6.7A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):18.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):630pF @ 15V 功率 - 最大值:545mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-74,SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 PMN16XNEX 功能描述:MOSFET N-CH 20V SC-74 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6.9A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):17nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1136pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):550mW(Ta), 6.25W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):19 毫欧 @ 6.9A,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:6-TSOP 封装/外壳:SC-74,SOT-457 标准包装:1 PMN15UN,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8A SC-74 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-74,SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 PMN.1M.308.XLMT 功能描述:8 Position Circular Connector Receptacle, Female Sockets Crimp Gold 制造商:lemo 系列:1M 包装:散装 零件状态:有效 连接器类型:插座,母形插口 针脚数:8 外壳尺寸 - 插件:308 外壳尺寸,MIL:- 安装类型:自由悬挂 端接:压接 紧固类型:有螺纹 朝向:N(正常型) 侵入防护:IP68 - 防尘,防水 外壳材料,镀层:铝合金,镀镍 触头镀层:金 特性:屏蔽 触头镀层厚度:59μin(1.50μm) 额定电流:5A 电压 - 额定:- 工作温度:-55°C ~ 200°C 标准包装:1 PMN27XPEAX PMN28UN,135 PMN28UN,165 PMN30UNEX PMN30UNX PMN30XPX PMN34LN,135 PMN34UN,135 PMN34UP,115 PMN35EN,115 PMN35EN,125 PMN38EN,135 PMN38EN,165 PMN40ENEX PMN40LN,135 PMN40UPE,115 PMN40UPEAX PMN42XPE,115
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