PMNF2-4R-3K

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操作

PMNF2-4R-3K
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：史仙雁
电话：19129911934（手机优先微信同号）0755-82813018
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
1900
Panduit
ROHS
1322+
-
全新原装正品欢迎来电0755-8286...

PMNF2-4R-3K
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
3620
Panduit
ROHS
201305+
-
原装正品，现货库存。400-800-03...

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功能描述
端子 Metric Ring Terminal funnel entry, nyl
RoHS
否
制造商
AVX
产品
Junction Box - Wire to Wire
系列
9826
线规
26-18
接线柱/接头大小
绝缘
颜色
Red
型式
Female
触点电镀
Tin over Nickel
触点材料
Beryllium Copper, Phosphor Bronze
端接类型
Crimp

PMNF2-4R-3K 技术参数

PMN80XP,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A SC-74 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:7.5nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:550pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:385mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:102 毫欧 @ 2.5A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-TSOP 封装/外壳:SC-74，SOT-457 标准包装:1 PMN70XPX 功能描述:MOSFET P-CH 20V SC-74 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:7.5nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:550pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:530mW（Ta）, 4.46W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:88 毫欧 @ 3.1A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-TSOP 封装/外壳:SC-74，SOT-457 标准包装:1 PMN70XPE,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.2A（Ta）不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:7.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:602pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta），6.25W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:85 毫欧 @ 2A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-TSOP 封装/外壳:SC-74，SOT-457 标准包装:1 PMN55LN,135 功能描述:MOSFET N-CH 20V 4.1A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.1A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:65 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13.1nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:500pF @ 20V 功率 - 最大值:1.75W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 PMN52XPX 功能描述:MOSFET P-CH 20V SC-74 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:12nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:763pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:530mW（Ta）, 4.46W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:62 毫欧 @ 3.7A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-TSOP 封装/外壳:SC-74，SOT-457 标准包装:1 PMNF6-3R-L PMNF6-3R-X PMNF6-4F-L PMNF6-4R-L PMNF6-4R-X PMNF6-5F-L PMNF6-5R-2K PMNF6-5R-L PMNF6-5R-X PMNF6-6F-L PMNF6-6R-2K PMNF6-6R-L PMNF6-8R-L PMNF6-8R-X PMO-4015MN-42HXQ PMO-4015PN-42KDQ PMO-4015SN-42UQ PMO-4530PN-47UQ