PSMN012-100YLX

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PSMN012-100YLX
深圳市德力诚信科技有限公司
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北京京北通宇电子元件有限公司
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天阳诚业科贸有限公司
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PSMN012-100YLX 技术参数

PSMN011-80YS,115 功能描述:MOSFET N-CH 80V LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:67A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:45nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2800pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:117W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PSMN011-60MSX 功能描述:MOSFET N-CH 60V LFPAK33 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:61A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:23nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1368pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:91W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11.3 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK33 封装/外壳:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）标准包装:1 PSMN011-60MLX 功能描述:MOSFET N-CH 60V LFPAK33 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:61A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.45V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:37.2nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2191pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:91W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11.3 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK33 封装/外壳:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）标准包装:1 PSMN011-30YLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:37A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.95V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:10.3nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:641pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:29W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11.6 毫欧 @ 10A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PSMN011-30YL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 51A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:51A（Tj）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10.7 毫欧 @ 15A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:14.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:726pF @ 15V 功率 - 最大值:49W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供应商器件封装:LFPAK，电源-SO8 标准包装:1 PSMN013-100YSEX PSMN013-30LL,115 PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30YLC,115 PSMN013-60YLX PSMN013-80YS,115 PSMN014-40YS,115 PSMN014-60LS,115 PSMN014-80YLX PSMN015-100B,118 PSMN015-100P,127 PSMN015-100YLX PSMN015-110P,127 PSMN015-60BS,118 PSMN015-60PS,127 PSMN016-100BS,118 PSMN016-100PS,127 PSMN016-100XS,127