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PSMN1R8-30BL118

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PSMN1R8-30BL118 技术参数

PSMN1R8-30BL,118 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:170nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:10180pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:270W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.8 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 PSMN1R7-60BS,118 功能描述:MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:137nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:9997pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:306W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 PSMN1R7-30YL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:77.9nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:5057pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:109W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.7 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PSMN1R7-25YLDX 功能描述:PSMN1R7-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:46.7nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3415pF @ 12V FET 功能:肖特基二极管（体）功率耗散（最大值）:135W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.7 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PSMN1R7-25YLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.9 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.95V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:59nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3735pF @ 12V 功率 - 最大值:164W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供应商器件封装:LFPAK，电源-SO8 标准包装:1 PSMN2R0-30YLDX PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-60ES,127 PSMN2R0-60PS,127 PSMN2R0-60PSRQ PSMN2R1-40PLQ PSMN2R1-60CSJ PSMN2R2-25YLC,115 PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-40BS,118 PSMN2R2-40PS,127 PSMN2R4-30MLDX PSMN2R4-30YLDX PSMN2R5-30YL,115 PSMN2R5-60PLQ PSMN2R6-30YLC,115 PSMN2R6-40YS,115 PSMN2R6-60PSQ