配单专家企业名单

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说明
操作

PSMN5R6-60YLX
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

PSMN5R6-60YL
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
NEXPERIA/安世
SOT-669
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

PSMN5R6-60YL
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
15500
NEXPERIA/安世
SOT-669
23+
-
原厂原装正品现货

PSMN5R6-60YLX
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园4栋中7楼7B30
69880
NEXPERIA/安世
SMD
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

PSMN5R6-60YLX
深圳市创芯弘科技有限公司
深圳市创芯弘科技有限公司
联系人：(2014年前十佳IC供应商)
电话：13410000176
地址：深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......
资质：营业执照
369800
Nexperia(安世)
SOT669
刚到货
-
代理可含税开票

PSMN5R6-60YLX
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
*
18+
-
MOSFET N-CH 60V LFPA...

PSMN5R6-60YL
深圳市华创欧科技有限公司
深圳市华创欧科技有限公司
联系人：朱先生
电话：2394575513590206539
地址：深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室
15000
NEXPERIA
SOT669
2022+
-
原装正品，公司现货库存假一罚十，电话：0...

PSMN5R6-60YLX
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
NXP Semiconductors
*
17+
-
全新原装现货

PSMN5R6-60YLX
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
Nexperia
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

PSMN5R6-60YLX
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
334
Nexperia USA Inc.
SC-100，SOT-669
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

PSMN5R6-60YL
深圳市杰世特电子有限公司
深圳市杰世特电子有限公司
联系人：林S
电话：18927460633
地址：深圳市福田区振华路118号华丽大厦2栋2单元535
0
16+
2551
SOT23-6
-
进口原装现货支持实单价优

PSMN5R6-60YL
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3335
NEXPERIA
SOT-669
2211+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

PSMN5R6-60YLX
深圳庞田科技有限公司
深圳庞田科技有限公司
联系人：吴小姐
电话：13612858787
地址：深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A
30000
NXP/恩智浦
SC-100SOT
21+原装
-
庞田无假货，只做原装正品，货真价实欢迎前...

PSMN5R6-60YLX
深圳市十德盛科技有限公司
深圳市十德盛科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8271907113336545634
地址：深圳市福田区华强路世贸广场A座14楼15A09
资质：营业执照
15432
NXP(恩智浦)
20+
-
全新原装现货

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1

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PSMN5R6-60YL 技术参数

PSMN5R6-100XS,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 61.8A TO220F 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:61.8A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.6 毫欧 @ 15A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:145nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8061pF @ 50V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 全封装，隔离接片供应商器件封装:TO-220F 标准包装:50 PSMN5R6-100PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:141nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:8061pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:306W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.6 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PSMN5R6-100BS,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:141nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:8061pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:306W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.6 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 PSMN5R5-60YS,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:56nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3501pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:130W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.2 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PSMN5R4-25YLDX 功能描述:PSMN5R4-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:12.4nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:858pF @ 12V FET 功能:肖特基二极管（体）功率耗散（最大值）:47W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.69 毫欧 @ 15A， 10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PSMN6R1-25MLDX PSMN6R1-30YLDX PSMN6R3-120ESQ PSMN6R3-120PS PSMN6R4-30MLDX PSMN6R5-25YLC,115 PSMN6R5-30MLDX PSMN6R5-80BS,118 PSMN6R5-80PS,127 PSMN6R9-100YSFQ PSMN6R9-100YSFX PSMN7R0-100BS,118 PSMN7R0-100ES,127 PSMN7R0-100PS,127 PSMN7R0-100XS,127 PSMN7R0-30MLC,115 PSMN7R0-30YL,115 PSMN7R0-30YLC,115

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