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参数资料
型号： P1016
元件分类： 放大器
英文描述： 43500 MHz - 46500 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
封装： DIE-14
文件页数： 1/5页
文件大小： 671K
代理商： P1016
Mimix Broadband's three stage 43.5-46.5 GHz GaAs
MMIC power amplifier has a small signal gain of 14.0
dB with +24.0 dBm P1dB output compression point.
This MMIC uses Mimix Broadband
’s 0.15 m GaAs
PHEMT device model technology, and is based upon
electron beam lithography to ensure high
repeatability and uniformity. The chip has surface
passivation to protect and provide a rugged part with
backside via holes and gold metallization to allow
either a conductive epoxy or eutectic solder die
attach process. This device is well suited for
Millimeter-wave Point-to-Point Radio, LMDS, SATCOM
and VSAT applications.
43.5-46.5 GHz GaAs MMIC
Power Amplifier
Excellent Driver Stage
14.0 dB Small Signal Gain
+24.0 dBm P1dB Compression Point
100% On-Wafer RF, DC and Output Power Testing
100% Visual Inspection to MIL-STD-883
Method 2010
Features
General Description
Electrical Characteristics (AmbientTemperatureT = 25 oC)
Parameter
Frequency Range (f )
Input Return Loss (S11)
Output Return Loss (S22)
Small Signal Gain (S21)
Gain Flatness (
S21)
Reverse Isolation (S12)
Output Power for 1dB Compression (P1dB)
Drain Bias Voltage (Vd1,2,3)
Gate Bias Voltage (Vg1,2,3)
Supply Current (Id) (Vd=5.0V, Vg=-0.5V Typical)
Units
GHz
dB
dBm
VDC
mA
Min.
43.5
-
-1.0
-
Typ.
-
10.0
14.0
+/-1.0
40.0
+24.0
+5.0
-0.5
720
Max.
46.5
-
+5.5
0.0
1060
Absolute Maximum Ratings
Supply Voltage (Vd)
Supply Current (Id)
Gate Bias Voltage (Vg)
Input Power (Pin)
Storage Temperature (Tstg)
Operating Temperature (Ta)
Channel Temperature (Tch)
+6.0 VDC
1160 mA
+0.3 VDC
+20 dBm
-65 to +165 OC
-55 to MTTF Table
MTTF Table
Chip Device Layout
Page 1 of 5
1
(1) Channel temperature affects a device's MTTF. It is
recommended to keep channel temperature as low as
possible for maximum life.
1
Mimix Broadband, Inc., 10795 Rockley Rd., Houston, Texas 77099
Tel: 281.988.4600 Fax: 281.988.4615 mimixbroadband.com
Characteristic Data and Specifications are subject to change without notice.
2005 Mimix Broadband, Inc.
Export of this item may require appropriate export licensing from the U.S. Government. In purchasing these parts, U.S. Domestic customers accept
their obligation to be compliant with U.S. Export Laws.
May 2005 - Rev 10-May-05
2
(2) Measured using constant current.
P1016
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参数描述
P1016NSE5BFB 功能描述:数字信号处理器和控制器 - DSP, DSC 400/266/667 STWE QE R1.1 RoHS:否 制造商:Microchip Technology 核心:dsPIC 数据总线宽度:16 bit 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:2 KB 最大时钟频率:40 MHz 可编程输入/输出端数量:35 定时器数量:3 设备每秒兆指令数:50 MIPs 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-44 安装风格:SMD/SMT
P1016NSE5DFB 功能描述:数字信号处理器和控制器 - DSP, DSC 533/333/667 STWE QE R1.1 RoHS:否 制造商:Microchip Technology 核心:dsPIC 数据总线宽度:16 bit 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:2 KB 最大时钟频率:40 MHz 可编程输入/输出端数量:35 定时器数量:3 设备每秒兆指令数:50 MIPs 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-44 安装风格:SMD/SMT
P1016NSE5FFB 功能描述:数字信号处理器和控制器 - DSP, DSC 667/333/667 STWE QE R1.1 RoHS:否 制造商:Microchip Technology 核心:dsPIC 数据总线宽度:16 bit 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:2 KB 最大时钟频率:40 MHz 可编程输入/输出端数量:35 定时器数量:3 设备每秒兆指令数:50 MIPs 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-44 安装风格:SMD/SMT
P1016NSN5BFB 功能描述:数字信号处理器和控制器 - DSP, DSC 400/266/667 STNE QE R1.1 RoHS:否 制造商:Microchip Technology 核心:dsPIC 数据总线宽度:16 bit 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:2 KB 最大时钟频率:40 MHz 可编程输入/输出端数量:35 定时器数量:3 设备每秒兆指令数:50 MIPs 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-44 安装风格:SMD/SMT
P1016NSN5DFB 功能描述:数字信号处理器和控制器 - DSP, DSC 533/333/667 STNE QE R1.1 RoHS:否 制造商:Microchip Technology 核心:dsPIC 数据总线宽度:16 bit 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:2 KB 最大时钟频率:40 MHz 可编程输入/输出端数量:35 定时器数量:3 设备每秒兆指令数:50 MIPs 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-44 安装风格:SMD/SMT
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