- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录367671 > P3503EVG (Electronic Theatre Controls, Inc.) P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor PDF资料下载
参数资料
| 型号： | P3503EVG |
| 厂商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | P沟道增强模式的逻辑电平场效应晶体管 |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 151K |
| 代理商： | P3503EVG |
P-Channel Logic Level Enhancement
Mode Field Effect Transistor
P3503EVG
SOP-8
Lead-Free
NIKO-SEM
2
Jan-06-2005
DYNAMIC
Input Capacitance
C
iss
970
Output Capacitance
C
oss
370
Reverse Transfer Capacitance
C
rss
V
GS
= 0V, V
DS
= -10V, f = 1MHz
180
pF
Total Gate Charge
2
Q
g
28
Gate-Source Charge
2
Q
gs
6
Gate-Drain Charge
2
Q
gd
V
DS
= 0.5V
(BR)DSS
, V
GS
= -10V,
I
D
= -8A
12
nC
Turn-On Delay Time
2
t
d(on)
20
Rise Time
2
t
r
V
DS
= -15V, R
L
= 1
17
Turn-Off Delay Time
2
t
d(off)
I
D
-1A, V
GS
= -10V, R
GS
= 6
180
Fall Time
2
t
f
75
nS
SOURCE-DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (T
C
= 25
°
C)
Continuous Current
I
S
-3
Pulsed Current
3
I
SM
-6
A
Forward Voltage
1
V
SD
I
F
= -1A, V
GS
= 0V
-1
V
Reverse Recovery Charge
Q
rr
7.9
nC
1
Pulse test : Pulse Width
≤
300
μ
sec, Duty Cycle
≤
2
2
Independent of operating temperature.
3
Pulse width limited by maximum junction temperature.
REMARK: THE PRODUCT MARKED WITH “P3503EVG”, DATE CODE or LOT #
.
Orders for parts with Lead-Free plating can be placed using the PXXXXXXG parts name.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P3503QVG | N- & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| P3514-02 | |
| P3514-03 | |
| P3C18V8Z40A | MCU CMOS 80LD LOW VOLTAGE 64K BYTES FLASH, -40C to +85C, 80-TQFP, T/R |
| P3C18V8Z40D | UV-Erasable/OTP PLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| P3503QVG | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:N- & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| P3504U | 制造商:TECCOR 制造商全称:TECCOR 功能描述:solid state crowbar devices |
| P3504U_L | 制造商:LITTELFUSE 制造商全称:Littelfuse 功能描述:Mutiport SIDAtor |
| P3504UALRP | 功能描述:硅对称二端开关元件 4Chp 320/640V 50A RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| P3504UALTP | 功能描述:硅对称二端开关元件 4Chp 320/640V 50A RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。