参数资料
型号: P3MXP1039PV
厂商: Microsemi Corporation
英文描述: Visible Enhanced Photo Detectors
中文描述: 可见增强照片探测器
文件页数: 2/3页
文件大小: 266K
代理商: P3MXP1039PV
Microsemi
Santa Ana Division
2830 S. Fairview Street, CA. 92704, 714-979-8220, Fax: 714-557-5989
Page 2
Copyright
2000
MSC0896.PDF 2000-11-21
W
M
.
C
P3MXP1039 PC/PV
Visible Enhanced Photo Detectors
PRODUCT PREVIEW
SANTA ANA DIVISION
Electrical Characteristics @ 25
°
C
Active Area
R
650nm
C
J
0V / 1kHz
R
SH
+/- 10 mV
NEP
0v650nm/1kHz
T
R
0V/650nm
50Ohm Load
PV
DEVICE #
mm2
Dia
Inch
0.044
A/W
pF
MOhms
W/(Hz)
ns
P3MXP1039 PV-V
1.0
0.35
150
5,000
5 X 10-
15
20
Electrical Characteristics @ 25
°
C
Active Area
R
A / W
ID
nA
V
B
10
μ
A
V
C
J
1kHz
pF
NEP
0V
650nm
1kHz
T
R
650nm
50Ohm
Load
ns
0
V
PC
DEVICE #
mm
2
Dia
Inch
650mm
PEAK
0.01V
-1.0V
-10V
min
0V
-1V
-10V
W/(Hz)
-10V
P3MXP1039 PC-V
1.0
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0.55
0.01
0.10
2.0
50
25
20
10
5 X 10-
15
5
2
E
L
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I
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相关PDF资料
PDF描述
P3MXP1039PC-V Visible Enhanced Photo Detectors
P4KE250 TRANSIENT ABSORPTION ZENER
P4KE30 GPP TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR (400 WATT PEAK POWER 1.0 WATT STEADY STATE)
P4KE110A GPP TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR (400 WATT PEAK POWER 1.0 WATT STEADY STATE)
P4KE11A GPP TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR (400 WATT PEAK POWER 1.0 WATT STEADY STATE)
相关代理商/技术参数
参数描述
P3MXP1039PV-V 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Visible Enhanced Photo Detectors
P3N1F5223J 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:CAPACITOR
P3NB60FP 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET
P3P18S19BF-08SR 功能描述:时钟发生器及支持产品 20-40MHZ 3.3V GP EMI RoHS:否 制造商:Silicon Labs 类型:Clock Generators 最大输入频率:14.318 MHz 最大输出频率:166 MHz 输出端数量:16 占空比 - 最大:55 % 工作电源电压:3.3 V 工作电源电流:1 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-56
P3P2005AG-08SR 功能描述:锁相环 - PLL 10-100MHZ 5V/3V GP EMI RoHS:否 制造商:Silicon Labs 类型:PLL Clock Multiplier 电路数量:1 最大输入频率:710 MHz 最小输入频率:0.002 MHz 输出频率范围:0.002 MHz to 808 MHz 电源电压-最大:3.63 V 电源电压-最小:1.71 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:QFN-36 封装:Tray