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参数资料
| 型号： | P4404EDG |
| 厂商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor ( Preliminary ) |
| 中文描述： | P沟道增强模式的逻辑电平场效应晶体管（初步） |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 143K |
| 代理商： | P4404EDG |
P-Channel Logic Level Enhancement
Mode Field Effect Transistor ( Preliminary )
P4404EDG
TO-252(DPAK)
Lead-Free
NIKO-SEM
2
JAN-17-2005
Forward Transconductance
1
g
fs
V
DS
= -10V, I
D
= -10A
11
S
DYNAMIC
Input Capacitance
C
iss
660
Output Capacitance
C
oss
300
Reverse Transfer Capacitance
C
rss
V
GS
= 0V, V
DS
= -10V, f = 1MHz
70
pF
Total Gate Charge
2
Q
g
14
Gate-Source Charge
2
Q
gs
2.2
Gate-Drain Charge
2
Q
gd
V
DS
= 0.5V
(BR)DSS
, V
GS
= -10V,
I
D
= -10A
1.9
nC
Turn-On Delay Time
2
t
d(on)
6.0
12.8
Rise Time
2
t
r
V
DS
= -20V, R
L
= 1
9.2
18.6
Turn-Off Delay Time
2
t
d(off)
I
D
-1A, V
GS
= -10V, R
GS
= 6
19.2 34.8
Fall Time
2
t
f
11.8 21.6
nS
SOURCE-DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (T
C
= 25
°
C)
Continuous Current
I
S
-10
Pulsed Current
3
I
SM
-30
A
Forward Voltage
1
V
SD
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V
-1
V
Reverse Recovery Time
t
rr
I
F
=
-5
A, dl
F
/dt = 100A /
μ
S
15.5
nS
Reverse Recovery Charge
Q
rr
7.9
nC
1
Pulse test : Pulse Width
≤
300
μ
sec, Duty Cycle
≤
2
2
Independent of operating temperature.
3
Pulse width limited by maximum junction temperature.
REMARK: THE PRODUCT MARKED WITH “P4404EDG”, DATE CODE or LOT #
.
Orders for parts with Lead-Free plating can be placed using the PXXXXXXG parts name.
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PDF描述 |
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