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参数资料
| 型号： | P4C1256L-25CMBLF |
| 厂商： | PYRAMID SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH SPEED 32K x 8 STATIC CMOS RAM |
| 中文描述： | 32K X 8 STANDARD SRAM, 25 ns, CDIP28 |
| 封装： | 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, CERAMIC, SIDE BRAZED, DIP-28 |
| 文件页数： | 7/17页 |
| 文件大小： | 183K |
| 代理商： | P4C1256L-25CMBLF |
P4C1256
Page 7 of 17
Document #
SRAM119
REV G
Notes:
10.
CE
and WE must be LOW for WRITE cycle.
11.
OE
is LOW for this WRITE cycle to show t
and t
.
12. If
CE
goes HIGH simultaneously with
WE
HIGH, the output remains
in a high impedance state
13. Write Cycle Time is measured from the last valid address to the first
transitioning address.
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE NO. 2 (
CE
CONTROLLED)
(10)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| P4C1256L-25DMBLF | 制造商:PYRAMID 制造商全称:Pyramid Semiconductor Corporation 功能描述:HIGH SPEED 32K x 8 STATIC CMOS RAM |
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| P4C1256L-25SMBLF | 制造商:PYRAMID 制造商全称:Pyramid Semiconductor Corporation 功能描述:HIGH SPEED 32K x 8 STATIC CMOS RAM |
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