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参数资料
| 型号： | P4C1281-20PM |
| 厂商： | PYRAMID SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 64K X 4 STANDARD SRAM, 20 ns, PDIP28 |
| 封装： | 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 862K |
| 代理商： | P4C1281-20PM |
P4C1281/P4C1282 - ULTRA HIGH SPEED 64K x 4 CMOS STATIC RAMS
Page 3
Document # SRAM136 REV OR
POWER DISSIPATIOn CHARACTERISTICS VS. SPEED
Sym Parameter
Temperature Range
-12
-15
-20
-25
-35
-45
Unit
I
CC
Dynamic Operating Current*
Commercial
170
160
155
150
N/A
mA
Industrial
N/A
170
160
155
150
N/A
mA
Military
N/A
160
155
150
145
mA
* V
CC = 5.5V. Tested with outputs open. f = Max. Switching inputs are 0V and 3V. CE = VIL, OE = VIH.
Sym Parameter
-12
-15
-20
-25
-35
-45
Unit
Min Max Min Max Min Max Min Max Min Max Min Max
t
RC
Read Cycle Time
12
15
20
25
35
45
ns
t
AA
Address Access Time
12
15
20
25
35
45
ns
t
AC
Chip Enable Access Time
12
15
20
25
35
45
ns
t
OH
Output Hold from Address Change
2
ns
t
LZ
Chip Enable to Output in Low Z
2
ns
t
HZ
Chip Disable to Output in High Z
7
8
10
15
ns
t
PU
Chip Enable to Power Up Time
0
ns
t
PD
Chip Disable to Power Down
12
15
20
25
30
ns
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS—READ CYCLE
(V
CC = 5V ± 10%, All Temperature Ranges)
(2)
TIMIng WAVEFORM OF READ CYCLE nO. 1 (ADDRESS COnTROLLED) (5,6)
TIMIng WAVEFORM OF READ CYCLE nO. 2 (CE COnTROLLED) (5,7,8)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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