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参数资料
| 型号： | P4KE100CM01 |
| 厂商： | RECTRON LTD |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-41 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 218K |
| 代理商： | P4KE100CM01 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P4KE10CAH05 | BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-41 |
| P4KE110AH03-1 | UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-41 |
| P4KE110AM03 | UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-41 |
| P4KE11AH03-1 | UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-41 |
| P4KE11CAH02-3 | BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-41 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| P4KE100C-T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 bi-dir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| P4KE100C-TP | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Diode TVS Single Bi-Dir 85.5V 400W 2-Pin DO-41 T/R |
| P4KE100-E3/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 100V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| P4KE100-E3/4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 100V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| P4KE100-E3/51 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 100V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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