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参数资料
| 型号： | P4KE51CAU06 |
| 厂商： | RECTRON LTD |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-41 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 218K |
| 代理商： | P4KE51CAU06 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P4KE51CU06 | BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-41 |
| P4KE6.8AH02 | UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-41 |
| P4KE7.5AH09 | UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-41 |
| P4KE7.5AU06 | UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-41 |
| P4KE7.5CAU02 | BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-41 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| P4KE51C-B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 TVS DIODE AXIAL LEAD RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| P4KE51C-E3/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 51V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| P4KE51C-E3/4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 51V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| P4KE51C-E3/51 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 51V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| P4KE51C-E3/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 51V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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