参数资料
| 型号： | P4KE62A-G |
| 厂商： | Comchip Technology |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS 400W 62V 5% UNIDIR DO-41 |
| 标准包装： | 5,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 53V |
| 电压 - 击穿： | 58.9V |
| 功率（瓦特）： | 400W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-41 |
| 包装： | * |
400W Transient Voltage Suppressor
SMD Diodes Specialist
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES (P4KE-G Series)
100
Fig.1Pulse Derating Curve
Fig.2 Typical Reverse Characteristics
50
T J =2J Max
Measured at
stand-off voltage
40
75
30
50
20
25
0
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
1
10
100
1.0
O
Ambient Temperature,TA ( C)
Fig.3 Steady State Power
Derating Curve
Stand-off Voltage (V)
Fig.4 Peak Pulse Power Rating Curve
100
0. 8
10
0.6
0.4
1
0.2
0
0.1
0
25
50
75
100
125
150
200
250
0.1
1
10
100
1000
10000
Lead Temperature, T L ( C)
Fig.5 Pulse Waveform
T R =10uS
O
10000
Pulse Width,td ( μ s)
Fig.6 Typical Junction Capacitance
100
Peak value (IPP)
Half value=I PP /2
Bi-directional
@zero bias
Pulse width(td) is
defined as the point
where the peak current
decays to 50% of Ipp
1000
Uni-directional
@zero bias
T J =25 C
50
O
10/1000 μ sec. waveform
as defined by R.E.A.
100
Uni-directional
@V RWM
td
T J =25 C
10
O
Bi-directional @ V RWM
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
1
f=1.0MHz
T, Time (mS)
1
10
100
1000
Reverse Breakdown Voltage, V BR (V)
REV:B
QW-BTV05
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 929838-01-13-RK | CONN HEADER 26POS DL R/A .1" TIN |
| RJS 600SHORT | FUSE 600MA 600V GLASS SHORT RJS |
| AD845BQ | IC OPAMP JFET 16MHZ PREC 8CDIP |
| P4KE6.8A-G | TVS 400W 6.8V 5% UNIDIR DO-41 |
| 961116-5900-AR-TP | CONN HEADER R/A 16POS GOLD SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| P4KE62AHE3/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 62V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| P4KE62AHE3/73 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 62V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| P4KE62A-T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| P4KE62-B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 TVS DIODE AXIAL LEAD RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| P4KE62C | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 53Vso 58.9Vbr RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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