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参数资料
| 型号： | P6FMBJ200 |
| 厂商： | RECTRON LTD |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | PV76W16-8S |
| 中文描述： | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 1086K |
| 代理商： | P6FMBJ200 |
RECTRON
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| P6FMBJ200A | 制造商:RECTRON 制造商全称:Rectron Semiconductor 功能描述:GPP TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR (600 WATT PEAK POWER 1.0 WATT STEADY STATE) |
| P6FMBJ200A-W | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| P6FMBJ200CA-W | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5% bi-dir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| P6FMBJ200C-W | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 bi-dir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| P6FMBJ200-W | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 _ RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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