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参数资料
| 型号： | P6KE33CAHE3/54 |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS 600W 33V 5% BIDIR AXIAL |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | TransZorb® |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 28.2V |
| 电压 - 击穿： | 31.4V |
| 功率（瓦特）： | 600W |
| 电极标记： | 双向 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-204AC，DO-15，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-204AC（DO-15） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
P6KE6.8A thru P6KE540A
6
5
4
3
www.vishay.com
60 Hz
Resistive or
Inductive Load
100
10
Vishay General Semiconductor
2
1
0
L = 0.375" (9.5 mm)
Lead Lengths
1
0.1
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
200
100
50
10
T L - Lead Temperature (°C)
Fig. 5 - Po w er Derating C u r v e
T J = T J max.
8.3 ms Single Half Sine-Wave
Uni-Directional Only
t p - Pulse Duration (s)
Fig. 7 - Typical Transient Thermal Impedance
1
5
10
50
100
Number of Cycles at 60 Hz
Fig. 6 - Maxim u m N on-Repetiti v e For w ard S u rge C u rrent
Revision: 18-Sep-12
4
Document Number: 88369
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2036-35-SM-RPLF | SURGE ARRESTOR GDT 350V SMT |
| SSQ-131-03-S-S-RA | CONN RCPT .100" 31POS R/A SGL AU |
| SSQ-132-03-S-S-RA | CONN RCPT .100" 32POS R/A SGL AU |
| FTS-116-03-L-D | CONN HEADER 32POS DUAL .05" T/H |
| 9-146305-0-30 | CONN HEADR BRKWAY .100 30POS R/A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| P6KE33CARL | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Diode TVS Single Bi-Dir 28.2V 600W 2-Pin Case 17-02 T/R |
| P6KE33CA-T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 28.20V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| P6KE33CA-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 BI-DIR 600W 13.2A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| P6KE33C-E3/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 33V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| P6KE33C-E3/23 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 33V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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