型号: | P6KE62ATR |
厂商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
封装: | PLASTIC, T-18, 2 PIN |
文件页数: | 2/4页 |
文件大小: | 240K |
代理商: | P6KE62ATR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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P6KE62TR | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
P6KE68ATR | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
P6KE7.5ATR | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
P6KE7.5CTR | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
P6KE75CTR | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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P6KE62C | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 50.2Vso 39VAC 6.8A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
P6KE62C/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 62V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
P6KE62C/4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 62V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
P6KE62C/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 62V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
P6KE62CA | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600 Watt TVS RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |