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参数资料
| 型号： | P6KE7.5AE3TR |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 封装： | PLASTIC, T-18, 2 PIN |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 240K |
| 代理商： | P6KE7.5AE3TR |
600 Watt TRANSIENT VOLTAGE
SUPPRESSOR
WWW
.Microse
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.CO
M
S C O T TS DALE DIVISION
P6KE6.8 thru 200CA, e3
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Rating
FIGURE 3 - Derating Curve
FIGURE 4 - P6KE Typical Capacitance vs. Breakdown Voltage
PACKAGE DIMENSIONS
T-18
Microsemi
Scottsdale Division
Page 4
Copyright
2007
6-20-2007 REV G
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P4KE24CA | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL |
| P5KE10CE3 | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL |
| P5KE14AE3TR | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL |
| P5KE150AE3 | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL |
| P5KE17CE3 | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| P6KE75AHE3/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 75V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| P6KE75AHE3/73 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 75V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| P6KE75ARL | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 75V 600W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| P6KE75ARLG | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 75V 600W Unidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| P6KE75A-T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 64.10V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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