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参数资料
| 型号： | P6KE75CAU16 |
| 厂商： | RECTRON LTD |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-15 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 400K |
| 代理商： | P6KE75CAU16 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P6KE8.2CH17 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-15 |
| P6KE9.1CAM11 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-15 |
| P6KE9.1CAM14 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-15 |
| P6KE100 | HANDLE TILT FOR 1598C/E/F/G BOX |
| P6KE10CA-B | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| P6KE75C-E3/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 75V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| P6KE75C-E3/4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 75V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| P6KE75C-E3/51 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 75V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| P6KE75C-E3/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 75V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| P6KE75C-E3/73 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 75V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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