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参数资料
型号： P6SMB10AT3
厂商： ON SEMICONDUCTOR
元件分类： 参考电压二极管
英文描述： 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors
中文描述： 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
封装： PLASTIC, CASE 403A-03, SMB, 2 PIN
文件页数： 3/7页
文件大小： 77K
代理商： P6SMB10AT3
P6SMB6.8AT3 Series
http://onsemi.com
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Devices listed in bold, italic are ON Semiconductor Preferred devices.)
Device
Device
Marking
V
RWM
(Note 6)
I
R
@
V
RWM
Breakdown Voltage
V
C
@ I
PP
(Note 8)
V
BR
%/
°
C
C
typ
(Note 9)
V
BR
V
(Note 7)
@ I
T
V
C
I
PP
V
A
Min
Nom
Max
mA
V
A
pF
P6SMB6.8AT3, G
P6SMB7.5AT3, G
P6SMB8.2AT3, G
P6SMB9.1AT3, G
6V8A
7V5A
8V2A
9V1A
5.8
6.4
7.02
7.78
1000
500
200
50
6.45
7.13
7.79
8.65
6.8
7.51
8.2
9.1
7.14
7.88
8.61
9.55
10
10
10
1
10.5
11.3
12.1
13.4
57
53
50
45
0.057
0.061
0.065
0.068
2380
2180
2015
1835
P6SMB10AT3, G
P6SMB11AT3, G
P6SMB12AT3, G
P6SMB13AT3, G
10A
11A
12A
13A
8.55
9.4
10.2
11.1
10
5
5
5
9.5
10.5
11.4
12.4
10
11.05
12
13.05
10.5
11.6
12.6
13.7
1
1
1
1
14.5
15.6
16.7
18.2
41
38
36
33
0.073
0.075
0.078
0.081
1690
1550
1435
1335
P6SMB15AT3, G
P6SMB16AT3, G
P6SMB18AT3, G
P6SMB20AT3, G
15A
16A
18A
20A
12.8
13.6
15.3
17.1
5
5
5
5
14.3
15.2
17.1
19
15.05
16
18
20
15.8
16.8
18.9
21
1
1
1
1
21.2
22.5
25.2
27.7
28
27
24
22
0.084
0.086
0.088
0.09
1175
1110
1000
910
P6SMB22AT3,G
P6SMB24AT3, G
P6SMB27AT3, G
P6SMB30AT3, G
22A
24A
27A
30A
18.8
20.5
23.1
25.6
5
5
5
5
20.9
22.8
25.7
28.5
22
24
27.05
30
23.1
25.2
28.4
31.5
1
1
1
1
30.6
33.2
37.5
41.4
20
18
16
14.4
0.092
0.094
0.096
0.097
835
775
700
635
P6SMB33AT3, G
P6SMB36AT3, G
P6SMB39AT3, G
P6SMB43AT3, G
33A
36A
39A
43A
28.2
30.8
33.3
36.8
5
5
5
5
31.4
34.2
37.1
40.9
33
.05
36
39
.05
43.05
34.7
37.8
41
45.2
1
1
1
1
45.7
49.9
53.9
59.3
13.2
12
11.2
10.1
0.098
0.099
0.1
0.101
585
540
500
460
P6SMB47AT3, G
P6SMB51AT3, G
P6SMB56AT3, G
P6SMB62AT3, G
47A
51A
56A
62A
40.2
43.6
47.8
53
5
5
5
5
44.7
48.5
53.2
58.9
47.05
51.05
56
62
49.4
53.6
58.8
65.1
1
1
1
1
64.8
70.1
77
85
9.3
8.6
7.8
7.1
0.101
0.102
0.103
0.104
425
395
365
335
P6SMB68AT3, G
P6SMB75AT3, G
P6SMB82AT3, G
P6SMB91AT3, G
68A
75A
82A
91A
58.1
64.1
70.1
77.8
5
5
5
5
64.6
71.3
77.9
86.5
68
75.05
82
91
71.4
78.8
86.1
95.5
1
1
1
1
92
103
113
125
6.5
5.8
5.3
4.8
0.104
0.105
0.105
0.106
305
280
260
235
P6SMB100AT3, G
P6SMB110AT3, G
P6SMB120AT3, G
P6SMB130AT3, G
100A
110A
120A
130A
85.5
94
102
111
5
5
5
5
95
105
114
124
100
110.5
120
130.5
105
116
126
137
1
1
1
1
137
152
165
179
4.4
4.0
3.6
3.3
0.106
0.107
0.107
0.107
215
200
185
170
P6SMB150AT3, G
P6SMB160AT3, G
P6SMB170AT3, G
P6SMB180AT3, G
150A
160A
170A
180A
128
136
145
154
5
5
5
5
143
152
162
171
150.5
160
170
180
158
168
179
189
1
1
1
1
207
219
234
246
2.9
2.7
2.6
2.4
0.108
0.108
0.108
0.108
150
140
135
130
P6SMB200AT3, G
6. A transient suppressor is normally selected according to the working peak reverse voltage (V
RWM
), which should be equal to or greater than
the DC or continuous peak operating voltage level.
7. V
measured at pulse test current I
at an ambient temperature of 25
°
C.
8. Surge current waveform per Figure 2 and derate per Figure 3.
9. Bias Voltage = 0 V, F = 1 MHz, T
= 25
°
C
* The “G” suffix indicates PbFree package available.
200A
171
5
190
200
210
1
274
2.2
0.108
115
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PDF描述
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参数描述
P6SMB10AT3G 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 10V 600W Unidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
P6SMB10C 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 TVS SURF MT DO214AA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
P6SMB10CA 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 TVS SURF MT DO214AA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
P6SMB10CA R4 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode TVS Single Bi-Dir 8.55V 600W 2-Pin SMB T/R
P6SMB10CA-E3/52 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 10V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
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