参数资料
型号: P6SMB120AT3
厂商: ON SEMICONDUCTOR
元件分类: 参考电压二极管
英文描述: 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors(峰值功率600W,齐纳TVS)
中文描述: 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
封装: PLASTIC, CASE 403A-03, SMB, 2 PIN
文件页数: 4/7页
文件大小: 73K
代理商: P6SMB120AT3
P6SMB6.8AT3 Series
http://onsemi.com
4
P
P
NONREPETITIVE
PULSE WAVEFORM
SHOWN IN FIGURE 2
t
P
s
1
10
100
0.1
μ
s
1
μ
s
10
μ
100
μ
s
1 ms
10 ms
0.1
Figure 1. Pulse Rating Curve
0
1
2
3
4
0
50
100
t, TIME (ms)
V
HALF VALUE I
PP
2
PEAK VALUE I
PP
t
r
10
μ
s
Figure 2. Pulse Waveform
TYPICAL PROTECTION CIRCUIT
V
in
V
L
Z
in
LOAD
Figure 3. Pulse Derating Curve
P
P
°
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
°
C)
120
140
160
t
P
PULSE WIDTH (t
P
) IS DEFINED AS
THAT POINT WHERE THE PEAK
CURRENT DECAYS TO 50% OF
I
PP
.
Figure 4. Typical Junction Capacitance vs.
Bias Voltage
P6SMB6.8AT3G
P6SMB18AT3G
P6SMB51AT3G
P6SMB200AT3G
BIAS VOLTAGE (VOLTS)
1
10
100
1000
10
100
1000
10,000
C
1
5
T
J
= 25
°
C
f = 1 MHz
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P6SMB120AT3G 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 ZEN SMB TVS 600W 120V TR RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
P6SMB120C 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 TVS SURF MT DO214AA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
P6SMB120CA 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 TVS SURF MT DO214AA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
P6SMB120CA R4 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 120V 5% BIDIR TRANSZORB-TVS RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
P6SMB120CA R5 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 120V 5% BIDIR TRANSZORB-TVS RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C