参数资料
| 型号： | P6SMB120AT3 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS ZENER UNIDIR 600W 120V SMB |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 06/Oct/2006 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 102V |
| 电压 - 击穿： | 114V |
| 功率（瓦特）： | 600W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AA，SMB |
| 供应商设备封装： | SMB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
P6SMB6.8AT3G Series, SZP6SMB6.8AT3G Series
MAXIMUM RATINGS
Rating
Peak Power Dissipation (Note 1) @ T L = 25 ° C, Pulse Width = 1 ms
DC Power Dissipation @ T L = 75 ° C Measured Zero Lead Length (Note 2)
Derate Above 75 ° C
Thermal Resistance from Junction ? to ? Lead
DC Power Dissipation (Note 3) @ T A = 25 ° C
Derate Above 25 ° C
Thermal Resistance from Junction ? to ? Ambient
Forward Surge Current (Note 4) @ T A = 25 ° C
Operating and Storage Temperature Range
Symbol
P PK
P D
R q JL
P D
R q JA
I FSM
T J , T stg
Value
600
3.0
40
25
0.55
4.4
226
100
? 65 to +150
Unit
W
W
mW/ ° C
° C/W
W
mW/ ° C
° C/W
A
° C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
1. 10 X 1000 m s, non ? repetitive
2. 1 ″ square copper pad, FR ? 4 board
3. FR ? 4 board, using ON Semiconductor minimum recommended footprint, as shown in 403A case outline dimensions spec.
4. 1/2 sine wave (or equivalent square wave), PW = 8.3 ms, duty cycle = 4 pulses per minute maximum.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T A = 25 ° C unless otherwise noted, V F = 3.5 V Max. @ I F
(Note 4) = 30 A, V F = 1.3 V Max. @ I F (Note 4) = 3 A) (Note 5)
I
Symbol
I PP
V C
V RWM
Parameter
Maximum Reverse Peak Pulse Current
Clamping Voltage @ I PP
Working Peak Reverse Voltage
I F
I R V F
I R
V BR
Maximum Reverse Leakage Current @ V RWM
Breakdown Voltage @ I T
V C V BR V RWM
I T
V
I T
Q V BR
Test Current
Maximum Temperature Coefficient of V BR
I F
Forward Current
I PP
V F Forward Voltage @ I F
5. 1/2 sine wave or equivalent, PW = 8.3 ms, non ? repetitive
duty cycle
http://onsemi.com
2
Uni ? Directional TVS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMD23-0141D1 | CONN RACK/PANEL 14POS 5A |
| LTC6256IKC#TRPBF-ES | IC OPAMP DUAL 6.5MHZ 8-UTDFN |
| AD8007AKSZ-REEL | IC OPAMP CF ULDIST LN LP SC70-5 |
| P6SMB11AT3G | TVS ZENER UNIDIR 600W 11V SMB |
| KTR10EZPF3602 | RES 36.0K OHM 1/8W 1% 0805 SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| P6SMB120AT3G | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 ZEN SMB TVS 600W 120V TR RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| P6SMB120C | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 TVS SURF MT DO214AA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| P6SMB120CA | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 TVS SURF MT DO214AA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| P6SMB120CA R4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 120V 5% BIDIR TRANSZORB-TVS RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| P6SMB120CA R5 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 120V 5% BIDIR TRANSZORB-TVS RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。