| 型号: | P6SMB150 |
| 厂商: | SEMIKRON INTERNATIONAL |
| 元件分类: | 参考电压二极管 |
| 英文描述: | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| 封装: | PLASTIC, SMB, 2 PIN |
| 文件页数: | 2/3页 |
| 文件大小: | 235K |
| 代理商: | P6SMB150 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P6SMB15A | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| P6SMB130 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| P6SMB16 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| P6SMB20A | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| P6SMB130C | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| P6SMB150A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 TVS SURF MT DO214AA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| P6SMB150A/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 150V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| P6SMB150A/55 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 150V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| P6SMB150A/5B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 150V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| P6SMB150AC | 制造商:TSC 制造商全称:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:Surface Mount Transient Voltage Suppressor |