参数资料
型号: P6SMB7.5AT3G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 4/7页
文件大小: 0K
描述: TVS ZENER UNIDIR 600W 7.5V SMB
标准包装: 1
电压 - 反向隔离(标准值): 6.4V
电压 - 击穿: 7.13V
功率(瓦特): 600W
电极标记: 单向
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: DO-214AA,SMB
供应商设备封装: SMB
包装: 标准包装
其它名称: P6SMB7.5AT3GOSDKR
P6SMB6.8AT3G Series, SZP6SMB6.8AT3G Series
100
10
NONREPETITIVE
PULSE WAVEFORM
SHOWN IN FIGURE 2
100
t r ≤ 10 m s
PEAK VALUE - I PP
PULSE WIDTH (t P ) IS DEFINED AS
THAT POINT WHERE THE PEAK
CURRENT DECAYS TO 50% OF
I PP .
HALF VALUE - PP
1
50
t P
I
2
0.1
0.1 m s
1 m s
10 m s
100 m s
1 ms
10 ms
0
0
1
2
3
4
5
160
140
120
100
t P , PULSE WIDTH
Figure 1. Pulse Rating Curve
10,000
1000
t, TIME (ms)
Figure 2. Pulse Waveform
P6SMB6.8AT3G
P6SMB18AT3G
80
60
100
P6SMB51AT3G
40
20
10
T J = 25 ° C
f = 1 MHz
P6SMB200AT3G
0
0
25
50
75
100
125
150
1
1
10
100
1000
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( ° C)
Figure 3. Pulse Derating Curve
BIAS VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. Typical Junction Capacitance vs.
Bias Voltage
TYPICAL PROTECTION CIRCUIT
Z in
V in
LOAD
http://onsemi.com
4
V L
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P6SMB47AT3G TVS ZENER UNIDIR 600W 47V SMB
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参数描述
P6SMB75C 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 TVS SURF MT DO214AA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
P6SMB75CA 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 TVS SURF MT DO214AA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
P6SMB75CA/52 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 75V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
P6SMB75CA/55 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 75V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
P6SMB75CA/5B 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 75V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C