型号: | P6SMBJ130CTRF |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
封装: | PLASTIC PACKAGE-2 |
文件页数: | 1/5页 |
文件大小: | 91K |
代理商: | P6SMBJ130CTRF |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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P6SMBJ15CATRF | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
P6SMBJ170CTRF | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
P6SMBJ110C | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
P6SMBJ150 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
P6SMBJ40 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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P6SMBJ13A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 11.1Vso 12.4Vbr 33A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
P6SMBJ13A-T3 | 制造商:WTE 制造商全称:Won-Top Electronics 功能描述:600W SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
P6SMBJ13C | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 10.5Vso 11.7Vbr 32A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
P6SMBJ13CA | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 11.1Vso 12.4Vbr 33A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
P6SMBJ13CA-T3 | 制造商:WTE 制造商全称:Won-Top Electronics 功能描述:600W SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |