型号: | P6SMBJ40 |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
封装: | PLASTIC, SMB, 2 PIN |
文件页数: | 4/4页 |
文件大小: | 78K |
代理商: | P6SMBJ40 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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P6SMBJ43A | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
P6SMBJ43C | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
P6SMBJ51A | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
P6SMBJ60CA | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
P6SMBJ8.0 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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P6SMBJ400 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 342Vso 380Vbr RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
P6SMBJ400A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 342Vso 380Vbr RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
P6SMBJ400C | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 342Vso 380Vbr RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
P6SMBJ400CA | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 342Vso 380Vbr RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
P6SMBJ40A | 制造商:Diotec 功能描述:Bulk |