型号: | P6SMBJ51AP |
厂商: | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
封装: | SMBJ, 2 PIN |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 1442K |
代理商: | P6SMBJ51AP |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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P6SMBJ400AP | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
P6SMBJ510AP | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
P6SMBJ220CAP | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
P6SMBJ440AP | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
P6SMBJ9.1A | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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P6SMBJ51C | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 38.1Vso 42.3Vbr 8.9A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
P6SMBJ51CA | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 40.2Vso 44.7Vbr 9.3A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
P6SMBJ530 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 477Vso 503.5Vbr RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
P6SMBJ530A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 477Vso 503.5Vbr RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
P6SMBJ530C | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 477Vso 503.5Vbr RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |