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参数资料
| 型号： | P8503BMG |
| 厂商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor (Preliminary) |
| 中文描述： | N沟道增强模式的逻辑电平场效应晶体管（初步） |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | P8503BMG |
2
Nov-03-2004
N-Channel Logic Level Enhancement Mode
Field Effect Transistor (Preliminary)
P8503BMG
SOT-23
Lead Free
NIKO-SEM
Forward Transconductance
1
g
fs
V
DS
= 15V, I
D
= 3A
16
S
DYNAMIC
Input Capacitance
C
iss
450
Output Capacitance
C
oss
200
Reverse Transfer Capacitance
C
rss
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V, f = 1MHz
60
pF
Total Gate Charge
2
Q
g
15
Gate-Source Charge
2
Q
gs
2.0
Gate-Drain Charge
2
Q
gd
V
DS
= 0.5V
(BR)DSS
, V
GS
= 10V,
I
D
= 3A
7.0
nC
Turn-On Delay Time
2
t
d(on)
6.0
Rise Time
2
t
r
V
DS
= 15V, R
L
= 1
6.0
Turn-Off Delay Time
2
t
d(off)
I
D
3A, V
GS
= 10V, R
GS
= 2.5
20
Fall Time
2
t
f
5.0
nS
SOURCE-DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (T
C
= 25
°
C)
Continuous Current
I
S
2.3
Pulsed Current
3
I
SM
4.6
A
Forward Voltage
1
V
SD
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V
1.5
V
1
Pulse test : Pulse Width
≤
300
μ
sec, Duty Cycle
≤
2%.
2
Independent of operating temperature.
3
Pulse width limited by maximum junction temperature.
REMARK: THE PRODUCT MARKED WITH “10YWW”, DATE CODE or LOT #
Orders for parts with Lead-Free plating can be placed using the PXXXXXXXG parts name
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