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参数资料
| 型号： | PBF493 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | High Voltage Transistors |
| 中文描述： | 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 123K |
| 代理商： | PBF493 |
1
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
PNP Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
–300
Vdc
Collector–Base Voltage
–300
Vdc
Emitter–Base Voltage
–5.0
Vdc
Collector Current — Continuous
–500
mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
625
5.0
mW
mW/
°
C
Total Device Dissipation @ TC = 25
°
C
Derate above 25
°
C
PD
1.5
12
Watts
mW/
°
C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
–55 to +150
°
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RJA
RJC
200
°
C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
83.3
°
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage (1)
(IC = –1.0 mAdc, IB = 0)
V(BR)CEO
–300
—
Vdc
Collector–Base Breakdown Voltage
(IC = –10 Adc, IE = 0)
V(BR)CBO
–300
—
Vdc
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IE = –100 Adc, IC = 0)
V(BR)EBO
–5.0
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = –200 Vdc, IE = 0)
ICBO
—
–0.25
μ
Adc
Emitter Cutoff Current
(VEB = –3.0 Vdc)
IEBO
—
–20
nAdc
Collector Cutoff Current
(VCE = –10 Vdc)
ICEO
—
–250
nAdc
1. Pulse Test: Pulse Width
300 s; Duty Cycle
2.0%.
Order this document
by PBF493/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
CASE 29–04, STYLE 1
TO–92 (TO–226AA)
1
23
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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