| 型号: | PBHV8115Z |
| 元件分类: | 开关 |
| 英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| 文件页数: | 1/7页 |
| 文件大小: | 525K |
| 代理商: | PBHV8115Z |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PMBT5550 | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| PMBT5551 | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| PMBTA42 | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| PMBTA42DS | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| PMBTA44 | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PBHV8115Z T/R | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS HV BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| PBHV8115Z,115 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS HV BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| PBHV8115Z_08 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:150 V, 1 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor |
| PBHV8118T | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTORNPN1A180VSOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR,NPN,1A,180V,SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR,NPN,1A,180V,SOT23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:180V; Transition Frequency Typ ft:30MHz; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:250; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |
| PBHV8118T,215 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 180V 1A NPN HI VLTGE LO VCESAT TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |