参数资料
| 型号： | PBR50TG |
| 厂商： | Hammond Manufacturing |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | GASKET REPLACEMENT FOR MNT TUBE |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PBR |
| 附件类型： | 垫圈套件 |
| 适用于相关产品： | 堆叠灯 |
| 配用： | PBR50BC-ND - BASE & END MODULE LIGHT STACK |
Quality Products. Service Excellence.
Stack Lights
PBR Series
Modular design for all indoor and outdoor applications.
Provides warning signals and diplays machine status.
High level of protection against electric shock with IP 54 rating.
Separate components for easy ordering to suit every installation
application.
Gallery
Base and Tubes
Ship Wt.
Part No.
Description
Base & End Module
Tubular Stand/Plinth
L1
-
3.46
L2
-
-
(lbs)
5
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| A2475-B | RELAY SSR AC 75A 280VAC PNL MNT |
| PBR50MG | GASKET REPLACEMENT LT MOD+BASE |
| A2490E | RELAY SSR AC 90A 280VAC PNL MNT |
| A2490-10 | RELAY SSR AC 90A 280VAC PNL MNT |
| PBR50BG | GASKET REPLACEMENT FOR IP65 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PBR941 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, RF, SOT-23 |
| PBR941,215 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN UHF 50MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| PBR941215 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:RF WIDEBAND TRANSISTOR NPN 10V 8GHZ |
| PBR941B | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-236 |
| PBR941B,215 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 Single NPN 10V 50mA 360mW 100 9GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
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