| 型号: | PBSS3515M |
| 元件分类: | 开关 |
| 英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| 文件页数: | 7/7页 |
| 文件大小: | 525K |
| 代理商: | PBSS3515M |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PBSS3540E | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| PBSS3540M | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| PBSS4021PT | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| PBSS4021PX | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| PBSS4021PZ | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PBSS3515M T/R | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| PBSS3515M,315 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| PBSS3515MB | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS PNP 15V 0.5A SOT883B 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS, PNP, 15V, 0.5A, SOT883B 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS, PNP, 15V, 0.5A, SOT883B; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-15V; Transition Frequency Typ ft:280MHz; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:-500mA; DC Current Gain hFE:90; Operating ;RoHS Compliant: Yes |
| PBSS3515MB,315 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 15 V, 0.5 A PNP low VCEsat transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| PBSS3515VS | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR PNP SOT-666 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, PNP, SOT-666 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Dual PNP/PNP transistor,PBSS3515VS |