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参数资料
| 型号： | PBYR2150CT |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | Connector assemblies, Computer cables; |
| 中文描述： | 1 A, 150 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | PLASTIC, SMD, 4 PIN |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 68K |
| 代理商： | PBYR2150CT |
1996 Oct 14
4
Philips Semiconductors
Preliminary specification
Schottky barrier double diode
PBYR2150CT
GRAPHICAL DATA
(1) T
amb
= 25
°
C.
(2) T
amb
= 60
°
C.
(3) T
amb
= 80
°
C.
(4) T
amb
= 100
°
C.
Fig.2
Forward current as a function of forward
voltage; typical values.
handbook, halfpage
(A)
0.8
0
0.2
0.4
0.6
VF (V)
1
10
1
10
2
10
3
10
4
10
5
10
6
MGD766
(4)
(3)
(2)
(1)
(1) T
amb
= 25
°
C.
(2) T
amb
= 60
°
C.
(3) T
amb
= 80
°
C.
(4) T
amb
= 100
°
C.
Fig.3
Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values.
handbook, halfpage
IR
(A)
150
100
50
0
2
10
3
10
4
10
5
10
6
MGD767
VR (V)
(4)
(3)
(2)
(1)
Fig.4
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
f = 1 MHz.
handbook, halfpage
(pF)
0
100
0
50
100
150
200
50
VR (V)
MGD768
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