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参数资料
| 型号： | PC28F256J3A-120 |
| 厂商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| 中文描述： | 英特尔StrataFlash存储器（J3） |
| 文件页数： | 24/72页 |
| 文件大小： | 905K |
| 代理商： | PC28F256J3A-120 |
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256-Mbit J3 (x8/x16)
24
Datasheet
0606_16
NOTES:
1. CE
X
low is defined as the last edge of CE0, CE1, or CE2 that enables the device. CE
X
high is defined at the
first edge of CE0, CE1, or CE2 that disables the device (see
Table 13
).
2. When reading the flash array a faster t
GLQV
(R16) applies. For non-array reads, R4 applies (i.e.: Status
Register reads, query reads, or device identifier reads).
NOTE:
CE
X
low is defined as the last edge of CE0, CE1, or CE2 that enables the device. CE
X
high is defined at
the first edge of CE0, CE1, or CE2 that disables the device (see
Table 13
).
Figure 10. 4-Word Page Mode Read Waveform
00
01
10
11
1
2
3
4
R10
R9
R15
R10
R5
R8
R7
R6
R4
R3
R1
R2
A[MAX:3] [A]
A[2:1] [A]
CEx [E]
OE# [G]
WE# [W]
D[15:0] [Q]
RP# [P]
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PC28F128J3A-150 | KPTC 32C 32#20 SKT PLUG |
| PC74HCT4002 | Dual 4-input NOR Gate |
| PCA24S08 | 1024 ?8-bit CMOS EEPROM with access protection |
| PCA24S08D | 1024 ?8-bit CMOS EEPROM with access protection |
| PCA24S08DP | 1024 ?8-bit CMOS EEPROM with access protection |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PC28F256J3A-125 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| PC28F256J3A-150 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| PC28F256J3C-110 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| PC28F256J3C-115 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| PC28F256J3C-120 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
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