- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录369948 > PC28F320J3C-125 (Intel Corp.) Intel StrataFlash Memory (J3) PDF资料下载
参数资料
| 型号： | PC28F320J3C-125 |
| 厂商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| 中文描述： | 英特尔StrataFlash存储器（J3） |
| 文件页数： | 24/72页 |
| 文件大小： | 905K |
| 代理商： | PC28F320J3C-125 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页当前第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页
256-Mbit J3 (x8/x16)
24
Datasheet
0606_16
NOTES:
1. CE
X
low is defined as the last edge of CE0, CE1, or CE2 that enables the device. CE
X
high is defined at the
first edge of CE0, CE1, or CE2 that disables the device (see
Table 13
).
2. When reading the flash array a faster t
GLQV
(R16) applies. For non-array reads, R4 applies (i.e.: Status
Register reads, query reads, or device identifier reads).
NOTE:
CE
X
low is defined as the last edge of CE0, CE1, or CE2 that enables the device. CE
X
high is defined at
the first edge of CE0, CE1, or CE2 that disables the device (see
Table 13
).
Figure 10. 4-Word Page Mode Read Waveform
00
01
10
11
1
2
3
4
R10
R9
R15
R10
R5
R8
R7
R6
R4
R3
R1
R2
A[MAX:3] [A]
A[2:1] [A]
CEx [E]
OE# [G]
WE# [W]
D[15:0] [Q]
RP# [P]
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PC28F320J3C-150 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| PC28F640J3A-120 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| PC28F640J3A-125 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| PC28F640J3A-150 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| PC28F640J3C-120 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PC28F320J3C-150 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| PC28F320J3D75 | 制造商:Intel 功能描述:MM#876051_32M FLASH |
| PC28F320J3D-75 | 制造商:NUMONYX 制造商全称:Numonyx B.V 功能描述:Numonyx Embedded Flash Memory |
| PC28F320J3D75A | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 75NS 64EZBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:StrataFlash™ 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
| PC28F320J3D75B | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 75NS 64EZBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:StrataFlash™ 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。