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参数资料
| 型号： | PC28F640J3C-150 |
| 厂商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| 中文描述： | 英特尔StrataFlash存储器（J3） |
| 文件页数： | 21/72页 |
| 文件大小： | 905K |
| 代理商： | PC28F640J3C-150 |
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256-Mbit J3 (x8/x16)
Datasheet
21
V
PENH
V
during Block Erase,
Program, or Lock-Bit Operations
2.7
3.6
V
3,4
V
LKO
V
CC
Lockout Voltage
2.0
V
5
NOTES:
1. Includes STS.
2. Sampled, not 100% tested.
3. Block erases, programming, and lock-bit configurations are inhibited when V
≤
V
,
and not guaranteed in the range between V
PENLK
(max) and V
PENH
(min), and above V
PENH
(max).
4. Typically, V
is connected to V
(2.7 V–3.6 V).
5. Block erases, programming, and lock-bit configurations are inhibited when V
CC
< V
, and
not guaranteed in the range between V
(min) and V
(min), and above V
(max).
6. Includes all operational modes of the device including standby and power-up sequences.
7. VCC operating condition for standby has to meet typical operationg coditons.
Table 7. DC Voltage Characteristics
Symbol
Parameter
Min
Max
Unit
Test Conditions
Notes
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PDF描述 |
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| PC28F640J3D75A | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 75NS 64EZBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:StrataFlash™ 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
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| PC28F640J3D75D | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 64M-Bit 8M x 8/4M x 16 75ns 64-Pin EZBGA Tray |
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