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参数资料
| 型号： | PDS3100-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 120K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 3A 100V POWERDI5 |
| 产品目录绘图： | Rectifier PowerDI5 Circuit |
| 其它图纸： | Rectifier PowerDI5 Top Rectifier PowerDI5 Side |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 3A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 760mV @ 3A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 100V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerDI? 5 |
| 供应商设备封装： | PowerDI?5 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1592 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | PDS3100DIDKR |
POWERDI is a registered trademark of Diodes Incorporated.
PDS3100
Document number: DS30487 Rev. 12 - 2
2 of 5
www.diodes.com
October 2012
? Diodes Incorporated
PDS3100
Maximum Ratings
(@TA
= +25°C, unless otherwise specified.)
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitance load, derate current by 20%.
Characteristic Symbol Value Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM
VRWM
VR
100 V
RMS Reverse Voltage
VR(RMS)
70 V
Average Rectified Output Current (see also Figure 5)
IO
3 A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
8.3ms Single half sine-wave Superimposed on Rated Load
IFSM
90 A
Thermal Characteristics
Characteristic Symbol Typ Max Unit
Thermal Resistance Junction to Soldering Point
RθJS
?
6.0
°C/W
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 5) TA
= +25°C
RθJA
95
?
°C/W
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 6) TA
= +25°C
RθJA
70
?
°C/W
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 7) TA
= +25°C
RθJA
50
?
°C/W
Operating Temperature Range
TJ
-65 to +150
°C
Storage Temperature Range
TSTG
-65 to +175
°C
Electrical Characteristics
(@TA
= +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic Symbol Min Typ Max Unit Test Condition
Reverse Breakdown Voltage (Note 8)
V(BR)R
100
?
?
V
IR
= 0.2mA
Forward Voltage
VF
?
0.71 0.76
0.57 0.61
0.78 0.84
V
IF
= 3A, T
J
= +25
°C
?
0.61 0.65
IF
= 3A, T
J
= +100
°C
?
IF
= 3A, T
J
= +125
°C
?
IF
= 6A, T
J
= +25
°C
?
0.68 0.75
IF
= 6A, T
J
= +100
°C
?
0.64 0.68
IF
= 6A, T
J
= +125
°C
Reverse Current (Note 8)
IR
?
2 100 μA
TJ
= +25
°C, VR
= 100V
?
0.4 5 mA
TJ
= +100
°C, VR
= 100V
?
2 20 mA
TJ
= +125
°C, VR
= 100V
Notes: 5. FR-4 PCB, 2 oz. Copper, minimum recommended pad layout per http://www.diodes.com.
6. Polymide PCB, 2 oz. Copper, minimum recommended pad layout per http://www.diodes.com.
7. Polymide PCB, 2 oz. Copper. Cathode pad dimensions 9.4mm x 7.2mm. Anode pad dimensions 2.7mm x 1.6mm.
8. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| PDS3200_10 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:3A HIGH VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
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