| 型号: | PDZ8.2BT/R7 |
| 元件分类: | 参考电压二极管 |
| 英文描述: | 8.2 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数: | 1/4页 |
| 文件大小: | 111K |
| 代理商: | PDZ8.2BT/R7 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PDZ10BT/R13 | 10 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| PE-0603CD271JBT | 1 ELEMENT, 0.27 uH, CERAMIC-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| PE-0603CD271GBT | 1 ELEMENT, 0.27 uH, CERAMIC-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| PE-0603CD221JBT | 1 ELEMENT, 0.22 uH, CERAMIC-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| PE-0603CD221GBT | 1 ELEMENT, 0.22 uH, CERAMIC-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PDZ9.1B | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, ZENER, 9.1V, 0.4W, SOD323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, ZENER, 9.1V, 0.4W, SOD323; Zener Voltage Vz Typ:9.1V; Power Dissipation Pd:400mW; Diode Case Style:SOD-323; No. of Pins:2; MSL:MSL 1 - Unlimited; Operating Temperature Range:- ;RoHS Compliant: Yes |
| PDZ9.1B T/R | 功能描述:稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT TAPE-7 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| PDZ9.1B,115 | 功能描述:稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| PDZ9.1B115 | 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| PDZ-B | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Voltage regulator diodes |