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参数资料
| 型号： | PESD12VS2UT,215 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 7/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE DUAL ESD PROTECTION SOT23 |
| 产品培训模块： | ESD Protection Diodes ESD Standards and Products |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 12V |
| 电压 - 击穿： | 14.7V |
| 功率（瓦特）： | 180W |
| 电极标记： | 2 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1511 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 568-4025-6 |
NXP Semiconductors
Double ESD protection diodes in SOT23
package
Product data sheet
PESDxS2UT series
240
C d
(pF)
200
160
120
(1)
(2)
001aaa148
50
C d
(pF)
40
30
20
(1)
001aaa149
(2)
80
10
(3)
40
0
1
2
3
4
V R (V)
5
0
0
5
10
15
20
V R (V)
25
(1) PESD3V3S2UT; V RWM = 3.3 V.
(2) PESD5V2S2UT; V RWM = 5 V.
T amb = 25 ° C; f = 1 MHz.
(1) PESD12VS2UT; V RWM = 12 V.
(2) PESD15VS2UT; V RWM = 15 V.
(3) PESD24VS2UT; V RWM = 24 V.
T amb = 25 ° C; f = 1 MHz.
Fig.6
Diode capacitance as a function of reverse
Fig.7
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
2004 Apr 15
7
voltage; typical values.
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