参数资料
| 型号： | PESD12VS5UD,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 1/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ARRAY ESD 12V 6-TSOP |
| 产品培训模块： | ESD Standards and Products |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 12V |
| 电压 - 击穿： | 12.5V |
| 功率（瓦特）： | 200W |
| 电极标记： | 5 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1511 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 568-4143-6 |
PESDxS5UD series
Fivefold ESD protection diode arrays
Rev. 02 — 7 December 2006
Product data sheet
1. Product pro?le
1.1 General description
Fivefold ElectroStatic Discharge (ESD) protection diode arrays in a SOT457 (SC-74) small
Surface-Mounted Device (SMD) plastic package designed to protect up to ?ve signal lines
from the damage caused by ESD and other transients.
1.2 Features
I
I
I
I
ESD protection of up to ?ve lines
Max. peak pulse power: P PP = 200 W
Ultra low leakage current: I RM = 50 pA
Low clamping voltage: V CL = 12 V at
I ESD protection up to 30 kV
I IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)
I IEC 61000-4-5 (surge); I PP up to 20 A
I PP = 20 A
1.3 Applications
I Computers and peripherals
I Audio and video equipment
I Cellular handsets and accessories
I Communication systems
I Portable electronics
I Subscriber Identity Module (SIM) card
protection
1.4 Quick reference data
Table 1.
Quick reference data
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Per diode
V RWM
reverse standoff voltage
PESD3V3S5UD
PESD5V0S5UD
PESD12VS5UD
PESD15VS5UD
PESD24VS5UD
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3.3
5
12
15
24
V
V
V
V
V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 929870-01-31-RA | CONN RCPT 31POS STR .100" GOL |
| AFB0924VH-R00 | FAN DC AXIAL 24V 92X25.4 3800RPM |
| TSW-104-23-T-S | CONN HEADER 4POS .100" SNGL TIN |
| 68685-216LF | CONN RCPT 16POS .100" SNG ROW |
| TSW-101-08-L-S-RA | CONN HEADER 1POS .100 SGL R/A AU |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PESD12VU1UT | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE TVS 15NA 12V SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, TVS, 15NA, 12V, SOT-23 |
| PESD12VU1UT,215 | 功能描述:TVS二极管阵列 12V ESD PROTECTION RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| PESD12VU1UT215 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:ESD DIODE 39V Dual Common Anode SOT-2 |
| PESD12VV1BL | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE ESD BIDIR 12V 17PF 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, ESD, BIDIR, 12V, 17PF, SOD882 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, ESD, BIDIR, 12V, 17PF, SOD882; Diode Type:ESD Protection; Clamping Voltage Vc Max:38V; Diode Case Style:DFN1006; No. of Pins:2; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012) ;RoHS Compliant: Yes |
| PESD12VV1BL,315 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 ESD Protection Diode Very Low Capacitance RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。