参数资料
| 型号： | PESD15VS1UB,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 7/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ESD PROTECTION SOD523 |
| 产品培训模块： | ESD Protection Diodes |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 15V |
| 电压 - 击穿： | 17.6V |
| 功率（瓦特）： | 160W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-79，SOD-523 |
| 供应商设备封装： | SOD-523 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 568-6811-6 |
NXP Semiconductors
PESDxS1UB series
ESD protection diodes in SOD523 package
10 4
P pp
(W)
10 3
001aaa147
1.2
P PP
P PP(25 ° C)
0.8
001aaa193
(1)
10 2
(2)
0.4
10
1
10
10 2
10 3
t p ( μ s)
10 4
0
0
50
100
150
T j ( ° C)
200
T amb = 25 ° C
t p = 8/20 μ s exponentially decay waveform,
(1) PESD3V3S1UB and PESD5V0S1UB
(2) PESD12VS1UB, PESD15VS1UB; PESD24VS1UB
Fig 3.
Peak pulse power dissipation as a function of
pulse time; typical values
Fig 4.
Relative variation of peak pulse power as a
function of junction temperature; typical
values
240
C d
(pF)
200
160
120
(1)
(2)
001aaa148
50
C d
(pF)
40
30
20
(1)
001aaa149
(2)
80
40
10
0
(3)
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
f = 1 MHz; T amb = 25 ° C
(1) PESD3V3S1UB
(2) PESD5V0S1UB
V R (V)
f = 1 MHz; T amb = 25 ° C
(1) PESD12VS1UB
(2) PESD15VS1UB
(3) PESD24VS1UB
V R (V)
Fig 5.
Diode capacitance as a function of reverse
Fig 6.
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values
PESDXS1UB_SERIES_2
voltage; typical values
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 24 August 2009
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PESD12VS1UB,115 | DIODE ESD PROTECTION SOD523 |
| PBC04SAAN | CONN HEADER .100 SINGL STR 4POS |
| PEC04SFAN | CONN HEADER .100 SINGL STR 4POS |
| RMCF2512JT91K0 | RES TF 91K OHM 5% 1W 2512 |
| 76308-218 | PV VCC .100 SR SGO |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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